CONNECTION
半導体と新東
半導体に関わる新東工業の技術をご紹介いたします。
半導体
パワー半導体
電気特性検査技術
あらゆる半導体関連製品の検査・評価
あらゆる半導体関連製品の検査・評価電気特性検査技術
パワー半導体チップ、パワーモジュール、IPM等、半導体関連製品の検査、評価が可能。
各種検査装置をお客様に合わせてワンストップでご提案します。
光電変換素子
ブラスト技術
センサ基板への自由なパターン形成と微細な加工を実現
センサ基板への自由なパターン形成と
微細な加工を実現ブラスト技術
センサ基板への自由なパターン形成、微細な穴・溝・ダイシングが可能。
表面処理装置の販売だけでなく、受託加工にも対応します。
高精度な貫通穴や止まり穴加工
穴加工技術
対象材質
- ガラス
- チッ化アルミ
- フェライト
- 化合物半導体
- シリコン
- 水晶
- カーボン
- アルミナ
- 石英
- 酸化物材料
etc.
加工精度
| ガラス、Si | アルミナ、チッ化アルミ | |
|---|---|---|
| 穴径 | 50μm～ | 100μm～ |
| 加工深さバラツキ | ±5% | ±10%～15% |
| アスペクト比 （穴径：100μmの場合） |
片面加工 1：2 両面加工 1：4 |
片面加工 1：1 両面加工 1：2 |
各種条件により異なります。
溝や流路をはじめとした複雑形状の形成
溝加工技術
対象材質
- ガラス
- チッ化アルミ
- フェライト
- 化合物半導体
- シリコン
- 水晶
- カーボン
- アルミナ
- 石英
- 酸化物材料
etc.
加工精度
| アルミナ | チッ化アルミ | |
|---|---|---|
| 深さ | 10μm | 10μm |
| バラツキ | ±0.25μm | ±0.5μm |
各種条件により異なります。
ブラスト技術
サブマウントへの自由なパターン形成と高精度なエンボス・溝加工を実現
サブマウントへの自由なパターン形成と
高精度なエンボス・溝加工を実現ブラスト技術
サブマウントへの穴・溝加工、ALN基板、放熱板へのブラスト処理等、自由なパターン形成、微細で高精度なエンボス・溝加が可能。表面処理装置の販売だけでなく、受託加工にも対応します。
高精度な貫通穴や止まり穴加工
穴加工技術
対象材質
- ガラス
- チッ化アルミ
- フェライト
- 化合物半導体
- シリコン
- 水晶
- カーボン
- アルミナ
- 石英
- 酸化物材料
etc.
加工精度
| ガラス、Si | アルミナ、チッ化アルミ | |
|---|---|---|
| 穴径 | 50μm～ | 100μm～ |
| 加工深さバラツキ | ±5% | ±10%～15% |
| アスペクト比 （穴径：100μmの場合） |
片面加工 1：2 両面加工 1：4 |
片面加工 1：1 両面加工 1：2 |
各種条件により異なります。
溝や流路をはじめとした複雑形状の形成
溝加工技術
対象材質
- ガラス
- チッ化アルミ
- フェライト
- 化合物半導体
- シリコン
- 水晶
- カーボン
- アルミナ
- 石英
- 酸化物材料
etc.
加工精度
| アルミナ | チッ化アルミ | |
|---|---|---|
| 深さ | 10μm | 10μm |
| バラツキ | ±0.25μm | ±0.5μm |
各種条件により異なります。
高精度なエンボス形状の加工
エンボス加工技術
対象材質
- アルミナ
- チッ化アルミ
- SiC
- ガラス
加工精度
| エンボス加工 | 高さ10μｍ狙い |
|---|---|
| 面内高さ加工バラツキ | ±0.25μｍ |
※材質によって加工精度が変わることあります。
各種条件により異なります。
画像測定技術
光ファイバーの接続ロスを低減
光ファイバーの接続ロスを低減画像測定技術
光ファイバーと光電変換機器などの光通信部品の接続部品であるMTフェルールのファイバー孔偏心量を0.1μm以下の繰り返し精度で測定可能。測定データを製造プロセスにフィードバックしてMTフェルールの品質を向上させることにより、光ファイバー接続ロスを低減します。
半導体集積回路
高圧ミスト現像機
ドライフィルムレジストへの高アスペクトなエッチングが可能に
ドライフィルムレジストへの
高アスペクトなエッチングが可能に高圧ミスト現像機
回路パターンの現像工程において、DFRへのファインパターンで高アスペクトなエッチングが可能に。
シャワー洗浄で不可能だった高アスペクトを実現します。
画像測定技術
露光用フォトマスクのパターン幅、レジストレーションを測定
露光用フォトマスクのパターン幅、
レジストレーションを測定画像測定技術
露光工程のフォトマスクのパターン幅、レジストレーション（歪み）測定において、最小0.5μm線幅を5nmの繰り返し性で測定可能。12インチの大サイズの測定にも対応します。
画像測定技術
先端パッケージ部品の配線工程における配線精度の向上
高密度化する先端パッケージの
配線精度の向上画像測定技術
後工程（パッケージ工程）のFC-BGA、インターポーザー、WLP、PLPなどの先端パッケージにおいて、高密度化する配線、再配線（RDL）、マイクロバンプ等の幅、径、位置、3D形状（高さ）の自動測定に対応。高密度配線のパターン精度の向上に寄与します。
画像測定技術
正確な寸法管理によるパッケージ用露光装置の精度向上
正確な座標系による寸法管理で
パッケージ用露光装置の性能を向上画像測定技術
300mmの測定で30nmという高い繰返し性で、後工程（パッケージ工程）で使用されるステッパーやダイレクトイメージ（DI）露光装置の露光誤差をデータ化し、露光装置の出荷検査から最適条件出し、性能向上まで活用できます。
半導体装置
半導体装置
微細加工プロセス
静電チャックの高さ精度に優れたピン加工を実現
静電チャックの高さ精度に優れたピン加工を実現微細加工プロセス
静電チャックの溝／エンボス加工において、高さ精度に優れたピン加工を実現。
国内および海外への販売実績があり、装置販売から受託加工まで対応します。
溝や流路をはじめとした複雑形状の形成
溝加工技術
対象材質
- ガラス
- チッ化アルミ
- フェライト
- 化合物半導体
- シリコン
- 水晶
- カーボン
- アルミナ
- 石英
- 酸化物材料
etc.
加工精度
| アルミナ | チッ化アルミ | |
|---|---|---|
| 深さ | 10μm | 10μm |
| バラツキ | ±0.25μm | ±0.5μm |
各種条件により異なります。
表面処理技術
ダメージの少ない部品／治具クリーニング
ダメージの少ない部品／治具クリーニング表面処理技術
半導体製造装置の部品／治具のクリーニングにおいて、製品へのダメージが少なく不純物を除去。
国内および海外に販売実績があります。
ブラスト技術
スパッタ／イオンプレーティング／PVDコーティングの再生加工
スパッタ／イオンプレーティング／
PVDコーティングの再生加工ブラスト技術
半導体製造装置のチャンバー面粗しにおいて、スパッタ／イオンプレーティング／PVDコーティングの洗浄により、再生加工が可能になります。
ブラスト技術
コーティング前処理による密着性向上
- Ra
-
24.97μm
- Rz
-
147.31μm
- Ra
-
0.21μm
- Rz
-
1.32μm
コーティング前処理による密着性向上ブラスト技術
半導体製造装置に接着前のブラスト処理を施すことで、密着性を向上。
国内および海外に販売実績があります。
バレル研磨技術
ダメージの少ないパッキンのバリ取り
ダメージの少ないパッキンのバリ取りバレル研磨技術
半導体製造装置のパッキン張り合わせ時に発生するパーテーションをダメージが少なく除去が可能です。
ブラスト技術
既存ラインにて小サイズの基板加工も可能に
既存ラインにて小サイズの基板加工も可能にブラスト技術
半導体製造装置の搬送トレイ治具にブラスト加工を施すことで、小さなサイズの基盤も既存ラインにて加工が可能に。
受託加工にて実績があります。
レーザークリーニング技術
ダメージの少ない部品／治具クリーニング
ダメージの少ない部品／治具クリーニングレーザークリーニング技術
半導体製造装置の治具クリーニングにおいて、製品へのダメージが少なく不純物の除去が可能。
ディスプレイ
ディスプレイ
画像処理・測定技術
2000mm以上のトータルピッチを1μm以下の精度で測定
2000mm以上のトータルピッチを
1μm以下の精度で測定画像処理・測定技術
大型液晶ディスプレイ（LCD）のTFTアレイ工程では2000mmを超える長さを1μm以下の精度で測定可能です。さらにＴFTパターンの線幅や重ね合わせズレ測定ではサブミクロンレベルの測定が可能です。
画像処理・測定技術、架張技術
蒸着工程を精密測定技術で幅広くサポート
蒸着工程を精密測定技術で幅広くサポート画像処理・測定技術、架張技術
有機ELディスプレイの有機発光層の蒸着工程で使用される蒸着用ファインメタルマスクでは、ピクセル開口サイズ・XY位置座標を0.5μmの安定性で測定を行います。
有機層が蒸着されたガラスパネルでは、有機発光層を特殊な光学系で励起発光させ位置を測定。測定値を蒸着機にフィードバックし歩留まり向上に寄与します。
CONTENTS
その他コンテンツ
各種お問い合わせ
- 受付時間
-
月～金 9:00～12:00、
13:00～17:00
（祝祭日・弊社休日を除く）