微細加工技術

表面加工を行うエアーブラスト原理により、10μm~70μm程の微細砥粒を圧縮エアー使用して高速で被加工物に噴射し、脆性破壊原理により、高精度な微細加工を実現する新ドライエッチング技術です。

大きな面積を均一に加工

大きな面積を均一に加工

噴射材の定量供給装置(特許取得済)、異物除去装置との組合せにより、微細な加工粉塵と噴射材に分離し、加工精度の安定化を実現します。

マスクレス加工

マスクレス加工

マスキングを使用せず、微小径ノズルから直接噴射加工するタイプも取り揃えています。

マイクロブラスト工法と他工法との比較

項目 マイクロブラスト エッチング レーザー 超音波加工
加工精度
環境対応 ×
チッピング・クラックの発生 なし
加工変質の発生
生産性
複雑形状加工
イニシャルコスト

マイクロブラスト工法の工程及び使用される設備

マイクロブラスト工法の工程及び使用される設備

露光

露光

MICROBLASTER MB1加工中

MICROBLASTER MB1加工中

メリット

  • ドライ工法でノンケミカル
  • チッピング・クラックが少ない
  • 加工変質が発生しにくい
  • 加工レートが高い
  • 平面の複雑形状加工が可能
  • イニシャルコストが低い
  • 各種マテリアルに対応可能
  • ワークへのダメージが小さい

加工品位の追及

異物除去装置、微粉対応サイクロンにより微細な加工粉塵と投射材を分離し、マイクロクラックチッピングの少ない加工を実現します。

  • チッピング数μm以下
  • 表面粗さ0.02μmRa

加工能率の追及

加工テーブルのNC化、噴射条件設定、マスキングパターンにより自由に形状を創成でき、高能率加工を実現します。

  • 複雑形状加工に対応
  • 高い生産性

加工精度

穴加工

ガラス、Si アルミナ、チッ化アルミ
穴径 50μm~ 100μm~
加工深さバラツキ ±5% ±10%~15%
アスペクト比
(穴径:100μmの場合)
片面加工 1:2
両面加工 1:4
片面加工 1:1
両面加工 1:2

※各種条件により異なります。

溝加工

ガラス、Si アルミナ、チッ化アルミ
線幅 50μm~ 100μm~
加工深さバラツキ ±5% ±10%~15%
アスペクト比
(穴径:100μmの場合)
片面加工 1:2 片面加工 1:1

※各種条件により異なります。

加工技術

穴加工技術

穴加工技術

ガラスなどの硬脆材料に
貫通穴や止まり穴をあけられます。

対象材質

  • ガラス
  • シリコン
  • アルミナ
  • チッ化アルミ
  • 水晶
  • 石英
  • フェライトカーボン etc.

応用技術

  • 止まり穴加工
  • ビアホール加工
  • 二段穴加工

加工精度

ガラス、Si アルミナ、チッ化アルミ
線幅 50μm~ 100μm~
加工深さバラツキ ±5% ±5%
アスペクト比
(穴径:100μmの場合)
片面加工 1:2
両面加工 1:4
片面加工 1:1
両面加工 1:2

※各種条件により異なります

加工事例

ガラス基板の穴あけ

ガラス基板の穴あけ ガラス基板の穴あけ

セラミックス基板の穴加工

セラミックス基板の穴加工 セラミックス基板の穴加工

ガラス基板の二段穴加工

ガラス基板の二段穴加工

シリコンウェハの穴加工

シリコンウェハの穴加工

適用事例

  • センサー基板の穴あけ
  • サセプターの穴あけ
  • インターポーザー基板の穴あけ etc.

センサー基板の穴あけ

センサー基板の穴あけ

溝加工技術

溝加工技術

ガラスなどの硬脆材料に
溝や流路をほることがます。

対象材質

  • ガラス
  • シリコン
  • アルミナ
  • チッ化アルミ
  • 水晶
  • 石英
  • フェライトカーボン
  • ニオブ酸リチウム
  • タンタル酸リチウム etc.

応用技術

  • エッチング
  • ザグリ加工
  • 流路形成

加工精度

ガラス、Si アルミナ、チッ化アルミ
線幅 50μm~ 100μm~
加工深さバラツキ ±5% ±5%
アスペクト比
(穴径:100μmの場合)
片面加工 1:2
両面加工 1:4
片面加工 1:1
両面加工 1:2

加工事例

ガラスの溝加工

ガラスの溝加工 ガラスの溝加工

ガラス基板のエッチング

ガラス基板のエッチング ガラス基板のエッチング

シリコンウエハのエッチング

シリコンウエハのエッチング

セラミックスのエッチング

セラミックスのエッチング

適用事例

  • 埋め込み電極用溝形成
  • ガラス基板の流路形成
  • ラボオンチップの流路形成 etc.

ガラス基板の流路形成

ガラス基板の流路形成

ガラス基板の溝加工

ガラス基板の溝加工

切断加工技術

切断加工技術

ガラスの薄板を
細かく切断することができます。

対象材質

  • ガラス
  • シリコン
  • アルミナ
  • チッ化アルミ
  • 水晶
  • 石英
  • フェライトカーボン
  • ニオブ酸リチウム
  • タンタル酸リチウム etc.

適用事例

  • 後工程にてバックグラインド処理をし、切断

全面除去技術

全面除去技術

塗膜、コーティング、付着物などを全て除去する技術です。
リサイクルや美観向上などに使用されます。

加工精度

  • 表面積の100%除去

除去対象物

  • 塗膜
  • コーティング膜
  • 蒸着膜
  • 成膜
  • メッキ
  • 酸化被膜
  • 酸化スケール
  • 汚れ
  • 母材表面 etc.

適用事例

  • 各種材料リサイクル、リユース、クリーニング、美観向上
シリコンウエハの膜剥離

シリコンウエハの膜剥離

部分除去技術

部分除去技術

部分的に特定のパターンで
各種付着物や母材表面を除去する技術です。

加工精度

除去範囲

  • マスク規制あり: 50μm~
  • マスクレス: 700μm~

応用技術

  • パターニング
  • エンボス加工

適用事例

ヘリンボーン加工

ヘリンボーン加工

セラミックスのエンボス加工

セラミックスのエンボス加工

ガラス基板のエンボス加工

ガラス基板のエンボス加工

 

ガラス基板のエンボス加工

層除去技術

層除去技術

積層された金属層などのトップ層を部分的に除去する技術です。
絶縁処理などに使用されます。

加工精度

除去範囲

  • マスク規制あり: 線幅50μm~
  • マスクレス: 線幅700μm~
  • 除去深さ: Max20μm (材質:金属層、マスク規制ありの場合)

加工後の表面粗さ

  • Ra 0.2~2

加工対象層

  • 成膜層
  • メッキ層 etc.

適用事例

絶縁処理、太陽電池基板のエッジデリーション

絶縁処理、太陽電池基板のエッジデリーション

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